Keemiline sadestamine aurufaasist

See artikkel vajab toimetamist. (Oktoober 2012) Palun aita artiklit toimetada. (Kuidas ja millal see märkus eemaldada?)

See artikkel ootab keeletoimetamist. Kui oskad, siis palun aita artiklit keeleliselt parandada. (Kuidas ja millal see märkus eemaldada?)

Keemiline sadestamine aurufaasist (inglise keeles Chemical vapor deposition ehk CVD) on keemiline protsess, mida kasutatakse suure puhtusega materjalide tootmiseks. Selle käigus viiakse aurudesse lähteained, mis reageerivad ja moodustavad aluspinnale vajalikku ainet. Reaktsioonil on sageli gaasiline saadus, mis kantakse gaasivooluga reaktsioonikambrist välja.

Seda protsessi kasutatakse pooljuhtide tootmises ja õhukeste kilede kasvatamises.

CVD-protsessiga valmistatakse mitmesuguse struktuuriga materjale: monokristalle, polükristalle, amorfseid aineid ja epitaksiaalsed. Mõningad materjalinäited: räni, süsinikkiud, süsiniku nanokiud, süsiniknanotorud, ränidioksiid, volfram, ränikarbiid, räninitriid, titaannitriid, dielektrikud ja sünteetilised teemandid.